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紫光2年耗资10亿美元研发32层堆栈国产NAND闪存

文章来源:超能网       发布时间:2018-05-15
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国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光,紫光集团旗下的长江存储正在武汉建设NAND工厂,预计今年内量产,据悉国产NAND闪存是32层堆栈的,是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。


NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础,也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片,国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光,紫光集团旗下的长江存储正在武汉建设NAND工厂,预计今年内量产,据悉国产NAND闪存是32层堆栈的,是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。

紫光2年耗资10亿美元研发32层堆栈国产NAND闪存

今年5月10日上海展览中心举办了首届中国自主品牌博览会,这次展会得到了国家发展改革委联合中宣部、工业和信息化部、农业农村部、商务部、国家市场监管总局、国家知识产权局、上海市人民政府的支持,主题为 “中国品牌、世界共享”,紫光集团代表北京市品牌企业参展。


紫光集团下的紫光展锐展示了SC9850HK芯片,号称是全国第一家、世界第二家拥有自主嵌入式CPU关键技术的手机芯片平台,是中国手机CPU芯片设计领域的一项重大突破。这款芯片是中国首款拥有自主嵌入式CPU关键技术的LTE手机芯片,其中的核心CPU为独立自主设计,并在此基础上建立独立安全机制,有效保障信息安全。


不过引人关注的是紫光的国产NAND闪存的公开展出,根据官方资料介绍,国产32层3D NAND闪存是长江存储耗资10亿美元,1000人团队研发2年出来的具备国产自主知识产权的3D NAND芯片。


关于制造工艺,紫光没有明确提到工艺信息,但表示这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队,有力提升“中国芯”在国际市场的地位。


目前国产32层3D NAND闪存已经研发成功,长江存储国家存储器基地项目芯片生产机台已进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。


根据之前的报道,长江存储将在武汉投资建设三期工程,目前即将完工的是一期工程,投资240亿美元,主要生产NAND闪存,建成后产能将达30万片晶圆/月。

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